Уважаемые партнеры!
На фоне развивающихся событий, в т. ч. кризиса в сфере микроэлектроники и возможного введения эмбарго, в OCS еще доступны к заказу чипы оперативной памяти Samsung DDR4 и DDR3 на 4 и 8Гб. DDR3, разработанные в 2005 году, являются самым используемым продуктом в сфере чипов оперативной памяти и имеют широкое применение: от персональных компьютеров и бытовой электроники до медицинской и автомобильной техники. Отличительные черты DDR4 — высокая надежность, а также экономия энергии. Чипы этого поколения, обеспечивая высокую скорость и пропускную способность, потребляют на 25% меньше энергии.
Основные характеристики DDR3:
- Объем 4 Гб
- Организация 64M x 16, 512M x 8, 256M x 8, 256M x 16, 128M x 8, 128M x 16
- Скорость от 1333 до 2133 Мбит в секунду
- Напряжение питания 1,35 и 1,5 Вольт
Основные характеристики DDR4:
- Объем от 4 до 32 Гб
- Скорость от 2400 до 3200 Мбит в секунду
- Организация 512M x 8, 512M x 16, 4G x 8, 2G x 8, 2G x 4, 2G x 16, 256M x 16, 1G x 8, 1G x 16- Объем от 4 до 32 Гб
- Напряжение питания 1,2 Вольт
Информация для заказа
Номенклатурный номер | Описание товара | Характеристики |
---|---|---|
1000632497 | Samsung K4A4G165WE-BCRC0CV | DDR4 4Gb 2400Mbps 256M x 16 |
1000632498 | Samsung K4A4G165WE-BCRC00P | DDR4 4Gb 2400Mbps 256M x 16 |
1000593080 | Samsung K4B4G1646E-BCNB000 | DDR3 4Gb 2133Mbps 256M x 16 |
1000632495 | Samsung K4B4G1646E-BYMA000 | DDR3 4Gb 1866Mbps 512M x 8 |
1000593082 | Samsung K4A8G165WB-BCTD000 | DDR4 8Gb 2666Mbps 512M x 16 |
1000627794 | Samsung K4A8G165WC-BCWE000 | DDR4 8Gb 3200Mbps 512M x 16 |
1000632499 | Samsung K4A8G165WC-BCWET00 | DDR4 8Gb 3200Mbps 512M x 16 T&R |
Для заказа чипов памяти Samsung обращайтесь, пожалуйста, к вашему региональному менеджеру в OCS или свяжитесь через e-mail: ME@ocs.ru.